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Vorstellung: Blue Water Cluster – Aufbau einer Selfmade Renderfarm @home
Viel Rechenleistung für kleines Geld
Projektphase “ZEUS”
Das “Zeus-Projekt” war meine erste Workstation, mit 2x 20 Kerne und hatte darmals richtig viel CPU Power, bei vergleichsweise geringen Energieverbrauch. Mit 64GB RAm konnte ich eine virtuelle Testumgebung mit 3 Server (8GB RAM) und und Windows Clients (4GB RAM) starten.
Hardware-Übersicht
Mainboard
Supermicro X10DAi Hauptmerkmale
- Dual Socket R3 (LGA 2011) unterstützt die Intel® Xeon® Prozessorfamilie E5-2600 v4†/v3; UPI bis zu 9,6 GT/s
- Intel® C612-Chipsatz
- Bis zu 2 TB† ECC 3DS LRDIMM, bis zu DDR4-2400†MHz; 16 DIMM-Steckplätze
- 3 PCI-E 3.0 x16, 2 PCI-E 3.0 x8 und 1 PCI-E 2.0 x4 (in x8) Steckplatz
- Zwei GbE-LAN-Ports über Intel® i210
- 10 SATA3-Anschlüsse (6 Gbit/s) mit Intel® C612-Controller; RAID 0, 1, 5, 10
- 6 USB 3.0 (4 hinten + 2 über Header) 5 USB 2.0 (4 über Header + 1 Typ A)
- 7.1 HD Audio mit optischem S/PDIF
- Unterstützung für Thunderbolt-Zusatzkarten
Dual-CPU
2x Intel Xeon Prozessor E5-2640 v4
Hauptdaten
- Produktsammlung Intel® Xeon® E5 v4 Prozessoren
- Codename Produkte mit früherer Bezeichnung Broadwell
- Vertikales Segment Server
- Prozessornummer E5-2640V4
- Status Launched
- Einführungsdatum Q1’16
- Lithographie 14 nm
- Einsatzbedingungen Server/Enterprise
- Empfohlener Kundenpreis$939.00
CPU-Spezifikationen
- Anzahl der Kerne 10
- Anzahl der Threads 20
- Max. Turbo-Taktfrequenz 3,40 GHz
- Intel® Turbo-Boost-Technik 2.0 Taktfrequenz‡ 3.40 GHz
- Grundtaktfrequenz des Prozessors 2,40 GHz
- Cache 25 MB Intel® Smart Cache
- Bus-Taktfrequenz 8 GT/s
- Anzahl der QPI-Links 2
- Verlustleistung (TDP) 90 W
Zusätzliche Informationen
- Embedded-Modelle erhältlich Ja
- Datenblatt Jetzt anzeigen
Speicherspezifikationen
- Max. Speichergröße (abhängig vom Speichertyp) 1,5 TB
- Speichertypen DDR4 1600/1866/2133
- Max. Anzahl der Speicherkanäle 4
- Max. Speicherbandbreite 68.3 GB/s
- Erweiterungen der phys. Adresse 46-bit
- Unterstützung von ECC-Speicher ‡ Ja
Erweiterungsoptionen
- Skalierbarkeit 2S
- PCI-Express-Version 3,0
- PCI-Express-Konfigurationen ‡ x4, x8, x16
- Maximale Anzahl der PCI-Express-Lanes 40
Package-Spezifikationen
- Geeignete Sockel FCLGA2011-3
- Max. CPU-Bestückung 2
- TCASE 76°C
- Gehäusegröße 45mm x 52.5mm
Innovative technische Funktionen
- Intel® Turbo-Boost-Technik‡ 2,0
- Intel® Hyper-Threading-Technik ‡ Ja
- Intel® TSX-NI Ja
- Intel® 64 ‡ Ja
- Befehlssatz 64-bit
- Befehlssatzerweiterungen Intel® AVX2
- Ruhezustände Ja
- Erweiterte Intel SpeedStep® Technologie Ja
- Intel® Demand-based-Switching Ja
- Thermal-Monitoring-Technologien Ja
- Intel® Flex-Memory-Access Nein
- Intel® Identity-Protection-Technik ‡ Nein
Sicherheit und Zuverlässigkeit
- Intel® vPro™ Plattformqualifizierung ‡ Ja
- Intel® AES New Instructions Ja
- Secure Key Ja
- Intel® OS Guard Ja
- Intel® Trusted-Execution-Technik ‡ Ja
- Execute-Disable-Bit ‡ Ja
- Intel® Virtualisierungstechnik (VT-x) ‡ Ja
- Intel® Directed-I/O-Virtualisierungstechnik (VT-d) ‡ Ja
- Intel® VT-x mit Extended Page Tables (EPT) ‡ Ja
SSD/ HDD
Samsung 950 Pro 512GB interne SSD (M.2 mit NVMe, PCI Express 3.0, bis max. 2.500MB/s)
Mit der SSD 950 Pro 512GB liefert Samsung ein internes SSM-Modul mit einer Speicherkapazität von 512 GB. Der PCI Express 3.0 x4-Anschluss ermöglicht eine Datenübertragung von bis zu 2500 MBps beim Lesen und 1500 MBps beim Schreiben. Ausgestattet ist das SSM mit dem Samsung UBX S4LN058A01-8030 3x 500MHz 8 NAND-Kanäle Controller, welcher über einen 512 MB großen LPDDR3 Cache verfügt. Die Leistungsaufnahme liegt unter Last bei 5.7 Watt.
Produktdatenblatt für SSD 512GB SAMSUNG SSD 950 Pro M.2 (MZ-V5P512BW)
Hersteller | |
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Artikelnummer des Herstellers | MZ-V5P512BW |
Markteinführung | 23.09.2015 |
Allgemeines | |
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Festplatten-Kapazität | 512GB |
Bauformat (Formfaktor) | M.2 NGFF 2280 |
Festplatten-Schnittstelle | M.2 Key M (PCIe-3.0 x4) |
Schnittstellen-Protokoll | NVMe (NVMHCI) |
Höhe | 0,36 cm |
Geschwindigkeit | |
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Lesegeschwindigkeit | 2500 MB/s |
Schreibgeschwindigkeit | 1500 MB/s |
4K Random beim Lesen | 300000 IOPS |
4K Random beim Schreiben | 110000 IOPS |
Ausstattung | |
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Speicherzellen | 3D-V-NAND |
MTBF | 2 Mio. Stunden |
Lebensdauer (TBW) | 400 Terabyte |
Leistungsaufnahme | |
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Leistungsaufnahme im Bereitschafts-Zustand | 1,7 Watt |
Leistungsaufnahme – maximal | 7 Watt |
Netzteil
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